과제 상세정보
목록독자 드리프트 구조를 갖는 질화갈륨(GaN) 기반의 고출력 전력반도체 소자 기술개발
작성자
관리자
조회수
200
등록일
2024-05-22
사업 정보
| 내역사업 | 중소기업R&D기획지원 |
|---|
과제 기본정보
| 과제명 | 독자 드리프트 구조를 갖는 질화갈륨(GaN) 기반의 고출력 전력반도체 소자 기술개발 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| 과제고유번호 | 1425169760 | ||||
| 부처명 | 중소벤처기업부 | ||||
| 시행계획 내 사업명 | |||||
| 시행계획 내 사업유형 | 예산출처지역 | 대전광역시 | 사업수행지역 | 대전광역시 | |
| 계속/신규 과제구분 | 신규과제 | ||||
| 과제수행연도 | 2022 | 총연구기간 | 2022-10-28 ~ 2023-01-27 | 당해연도 연구기간 | 2022-10-28 ~ 2023-01-27 |
요약 정보
| 연구목표 | 탄소중립 이행 요구가 글로벌적으로 커지면서 태양광, 풍력발전 등의 친환경 발전시스템의 요구되고, 스마트 이동장치분야에서 전력을 효율적으로 사용하기 위해 고전압 또는 대전류 제어가 가능한 친환경 고출력 및 고효율 전력반도체 소자 필요성이 급증하고 있다. 이에 따라 전력반도체 소자의 개발이 큰 화두가 되고 있는데, 기존의 실리콘(Si) 기반 반도체에서 탄... | ||
|---|---|---|---|
| 연구내용 | 당사에서 추진하는 본 기획기술은 GaN 물질계 수평 채널 구조의 HEMT 소자의 약점인 낮은 항복전압과 수직 드리프트 구조의 JFET 소자의 약점인 선택적 재성장을 제거하고 강점을 결합해서 설계한 “콘볼루션 구조(수평 채널과 수직 드리프트 접목)의 GaN 물질계 전계효과 소자”를 개발하고자 함이다. 최종적으로는 SiC MOSFET 전력반도체 소자 성능과 신... | ||
| 기대효과 | (a) 성과활용계획 본 연구 개발의 최종 성과물은 “콘볼루션 구조(수평 채널과 수직 드리프트 접목)의 GaN 물질계 전계효과 소자”이다. 당사는 타사 대비 가성비 우위의 기술력과 특허를 바탕으로 본 소자제품의 생산과 함께 국내에서는 SK실트론, LX세미콘, DB하이텍, 온세미 등 대기업과는 상생 협력(파운드리 의뢰) 관계를 구축할 예정이고, 아이브이웤스(... | ||
| 키워드 | 전력반도체,화합물 반도체,질화물,성장기판분리 | ||
위탁/공동여부 정보
| 단독연구 | 기업 | 대학 | 국공립(연)/출연(연) | 외국연구기관 | 기타 |
|---|---|---|---|---|---|
|
기술 정보
| 연구개발단계 | 개발연구 | 산업기술분류 | |
|---|---|---|---|
| 미래유망신기술(6T) | 기타 | 기술수명주기 | |
| 연구수행주체 | 산 | 과학기술표준분류 | 인공물 > 전기/전자 > 반도체소자·회로 > 화합물소자 |
| 주력산업분류 | 적용분야 | 기타 산업 | |
| 중점과학기술분류 | 과제유형 |
과제수행기관(업) 정보
| 과제수행기관(업) 정보 | 과제수행기관(업)명 | 웨이브로드(주) | 사업자등록번호 | |
|---|---|---|---|---|
| 연구책임자 | 소속기관명 | 웨이브로드(주) | 사업자등록번호 | |
| 최종학위 | 박사 | 최종학력전공 | 공학 |
사업비
| 국비 | 5,000,000 | 지방비(현금+현물) | 0 |
|---|---|---|---|
| 비고 | |||