과제 상세정보
목록Beyond 5G 및 고성능 RF GaN(질화갈륨) 소자 구현을 위한 대구경 n+GaN 선택적 에피택시 기술 개발
작성자
관리자
조회수
83
등록일
2024-05-22
사업 정보
| 내역사업 | 투자형R&D(스케일업 팁스) |
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과제 기본정보
| 과제명 | Beyond 5G 및 고성능 RF GaN(질화갈륨) 소자 구현을 위한 대구경 n+GaN 선택적 에피택시 기술 개발 | ||||
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| 과제고유번호 | 1425171049 | ||||
| 부처명 | 중소벤처기업부 | ||||
| 시행계획 내 사업명 | |||||
| 시행계획 내 사업유형 | 예산출처지역 | 대전광역시 | 사업수행지역 | 대전광역시 | |
| 계속/신규 과제구분 | 신규과제 | ||||
| 과제수행연도 | 2022 | 총연구기간 | 2022-12-01 ~ 2024-11-30 | 당해연도 연구기간 | 2022-12-01 ~ 2022-12-31 |
요약 정보
| 연구목표 | 본 과제의 최종 개발 목표는 다음과 같다.RF GaN 소자의 Ohmic 접촉 저항 개선을 위한 n+-GaN 선택적 에피택시 기술 개발 - 4인치 GaN HEMT on SiC 에피구조 위 n+-GaN Regrowth 개발 - 6인치 GaN HEMT on SiC 에피구조 위 n+-GaN Regrowth 개발 | ||
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| 연구내용 | □4인치 GaN HEMT on SiC 에피구조 위 n+-GaN Regrowth 개발- SiN Mask 위 Poly-GaN 및 Ga droplet Free Regrowth 기술 개발- 1.0e20/cm3 이상 n-type doping 농도의 선택적 성장 기술 개발- 4인치에서 선택적 성장 n-GaN의 Std. 5% 이하의 doping 균일도 확보 - 0.1... | ||
| 기대효과 | □GaN RF 소자 시장을 선도할 수 있는 신기술 확보 - n+-GaN ohmic contact layer 형성을 위한 Selective area regrowth 조건 확보- 낮은 Ohmic Metal 접촉 저항을 확보하기 위한 고농도 n-doping 기술 확보- 수요 기업 소자 공정을 통한 Ohmic 접촉 저항 개선 검증 및 제품 상용화 - 고성능 GaN... | ||
| 키워드 | 질화갈륨, 재성장, 에피웨이퍼, 반도체소자, 통신반도체 | ||
위탁/공동여부 정보
| 단독연구 | 기업 | 대학 | 국공립(연)/출연(연) | 외국연구기관 | 기타 |
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기술 정보
| 연구개발단계 | 개발연구 | 산업기술분류 | |
|---|---|---|---|
| 미래유망신기술(6T) | 기타 | 기술수명주기 | |
| 연구수행주체 | 산 | 과학기술표준분류 | 인공물 > 기계 > 기타기계 > 달리 분류되지 않는 기계 |
| 주력산업분류 | 적용분야 | 기타 산업 | |
| 중점과학기술분류 | 과제유형 |
과제수행기관(업) 정보
| 과제수행기관(업) 정보 | 과제수행기관(업)명 | (주)아이브이웍스 | 사업자등록번호 | |
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| 연구책임자 | 소속기관명 | (주)아이브이웍스 | 사업자등록번호 | |
| 최종학위 | 박사 | 최종학력전공 | 이학 |
사업비
| 국비 | 142,750,000 | 지방비(현금+현물) | 0 |
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| 비고 | |||