| 연구목표 |
○ 28GHz 지원 5G 기지국용 GaN 기반 MMIC 공정 기술 및 RF 핵심 부품 개발 - 5G 28GHz 지원 GaN HEMT 소자/MMIC 공정 기술 개발 - 5G 28GHz 지원 0.15µm GaN HEMT 소자 설계 및 모델링 기술 개발 - 5G 28GHz 지원 0.15µm GaN HEMT MMIC PDK 기술 개발 - 5G 28GHz ... |
| 연구내용 |
○ 고출력·고효율·고방열 GaN HEMT 에피/소자 구조 설계 및 공정 기술 최적화 - 0.15µm GaN HEMT 능동소자 기술 최적화 - 0.15µm GaN HEMT MMMIC 라이브러리용 수동소자 기술 최적화○ 고출력·고효율·고방열 GaN HEMT 소자 측정 분석 및 파라미터 추출 - GaN 능동소자 (GaN HEMT) 소자 특성 분석을 위한 측... |
| 기대효과 |
○ 기술적 측면 - 본 과제를 통한 기술개발이 완료되면 그간 연구개발 수준에서의 국내 mmWave 대역에서의 MMIC 전력증폭기는 실제 생산 가능한 상용화 기술로의 실질적 위상을 갖게 될 것이며 5G 중계기 및 다양한 응용 최종 제품의 기술 자립과 세계적인 경쟁력 확보가 가능함 - Ka 주파수 대역에서의 MMIC 전력증폭기의 국내 기술 확보가 가능하여 ... |
| 키워드 |
5세대 이동통신,고전자이동도트랜지스터,전력증폭기,질화갈륨,초고주파집적회로 |