과제 상세정보
목록고이동도 p-형 반도체 나노입자 박막기반 CMOS 집적소자 개발
작성자
관리자
조회수
65
등록일
2024-05-22
사업 정보
| 내역사업 | (유형1-1)중견연구 |
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과제 기본정보
| 과제명 | 고이동도 p-형 반도체 나노입자 박막기반 CMOS 집적소자 개발 | ||||
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| 과제고유번호 | 1711156446 | ||||
| 부처명 | 과학기술정보통신부 | ||||
| 시행계획 내 사업명 | |||||
| 시행계획 내 사업유형 | 예산출처지역 | 대전광역시 | 사업수행지역 | 대전광역시 | |
| 계속/신규 과제구분 | 신규과제 | ||||
| 과제수행연도 | 2022 | 총연구기간 | 2022-03-01 ~ 2026-02-28 | 당해연도 연구기간 | 2022-03-01 ~ 2023-02-28 |
요약 정보
| 연구목표 | 본 연구의 최종목표는 맞춤형 표면화학제어(modifications of the surface chemistry)를 개발함으로써 높은 이동도를 갖는 p-형 반도체 나노입자 박막을 제조하는 기술을 개발하고자 한다. 또한, 표면화학제어 후 압력소결공정(pressure-sintering process)을 통해 나노결정에서 박막, 그리고 더 나아가 bulk 고체를 ... | ||
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| 연구내용 | ❏ 친환경(Cd, Pb-free) 반도체 나노입자 합성 및 박막제조 개발: 본 연구과제에서는 Cd이나 Pb 등 유해물질을 함유하지 않고 p-형 반도체로 적용가능 한 I-III-VI 계 Cu-In-E(E=S, Se, Te) 조성을 연구할 계회임. 최근 미국에서 CuInSe를 반도체 채널(channel)로 적용하여 n-형의 높은 이동도(μe~10 cm2/Vs)... | ||
| 기대효과 | ❏ 과학기술적 효과❍ 세계 최초의 고이동도 반도체 나노입자 기반 COMS 집적소자는 큰 센세이션을 일으킬 것임. 도핑에 있어서 나노의 이점을 극대화 한 개념으로써 bulk 소재의 도핑 한계를 극복할 수 있음. 특히 제안된 고이동도의 p-형 반도체 박막은 전자소자 측면에서 차세대 성장동력으로써 미래 디스플레이 산업의 핵심 요소기술로 활용될 것으로 기대됨. 전... | ||
| 키워드 | P-형 반도체,나노입자,박막,도핑,표면화학 개질,CMOS 집적소자 | ||
위탁/공동여부 정보
| 단독연구 | 기업 | 대학 | 국공립(연)/출연(연) | 외국연구기관 | 기타 |
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기술 정보
| 연구개발단계 | 기초연구 | 산업기술분류 | |
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| 미래유망신기술(6T) | NT(나노기술) | 기술수명주기 | |
| 연구수행주체 | 연 | 과학기술표준분류 | 인공물 > 재료 > 세라믹재료 > 나노세라믹 복합재료기술 |
| 주력산업분류 | 적용분야 | 전문, 과학 및 기술서비스업 | |
| 중점과학기술분류 | 과제유형 |
과제수행기관(업) 정보
| 과제수행기관(업) 정보 | 과제수행기관(업)명 | 한국지질자원연구원 | 사업자등록번호 | |
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| 연구책임자 | 소속기관명 | 한국지질자원연구원 | 사업자등록번호 | |
| 최종학위 | 박사 | 최종학력전공 | 공학 |
사업비
| 국비 | 81,074,000 | 지방비(현금+현물) | 0 |
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| 비고 | |||