| 연구목표 |
○ 차세대 반도체를 제조하기에 필수적으로 필요한 기술인 영역 선택적 원자층 증착법을 위한 신규 유기금속 전구체 합성 기술을 개발함. 이를 위해 인히비터로 비활성화된 표면에 흡착하지 않는 리간드들을 개발하고, 이 리간드에 금속박막용 물질과 금속 산화물 증착용 물질을 합성하여 각각의 유기 금속 전구체 개발을 진행한다. 또한 이렇게 개발한 전구체를 이용해 원자층... |
| 연구내용 |
1. 차세대 영역 선택적 원자층 증착용 신규 유기금속 전구체 개발 - 표면 선택성 있는 리간드 개발 2종 (1차년도 목표 2종) - Ru, Mo 금속 증착용 전구체 합성 3종 (1차년도 목표 1종) - Hf, Zr 산화물 증착용 전구체 합성 2종 (1차년도 목표 1종) 전구체 안정성 4 weeks @ RT (1차년도 목표 1 day) 2. 신규 ... |
| 기대효과 |
○ 차세대 영역 선택적 원자층 증착용 유기금속 전구체 소재를 개발함으로써 기존 증착 소재를 통해 얻을 수 없었던 미세화되고 복잡한 구조에서 공정 마진을 높이고, 단계를 줄이게 함으로써 차세대 반도체 개발 과정에서 발생하는 기술적 장벽을 낮춰 메모리 반도체 분야 주도권을 유지함과 동시에 SYSTEM IC분야에서도 주도권을 획득.○ 일본, 미국, 및 유럽 선진... |
| 키워드 |
영역 선택적,원자층 증착법,금속막,산화물막,화학소재,유기금속,반도체,인히비터 |