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차세대 CPI 및 반도체 배선을 위한 소재 및 공정 개발

작성자

관리자

조회수

141

등록일

2024-05-22

사업 정보
내역사업 신소자원천기술개발
과제 기본정보
과제명 차세대 CPI 및 반도체 배선을 위한 소재 및 공정 개발
과제고유번호 1711156853
부처명 과학기술정보통신부
시행계획 내 사업명
시행계획 내 사업유형 예산출처지역 대전광역시 사업수행지역 대전광역시
계속/신규 과제구분 신규과제
과제수행연도 2022 총연구기간 2020-07-01 ~ 2023-02-28 당해연도 연구기간 2022-01-01 ~ 2023-02-28
요약 정보
연구목표 본 연구에서는 패키지 기술과 칩 내 배선에 대한 소재 및 신뢰성 분야에서 재료, 공정 상의 체계적인 연구를 통하여 차세대 지능형 반도체 기술 개발을 수행함.고신뢰성 2.5D/3D CPI를 위한 접합 소재 및 접합 기술 개발 - Chip to Interposer 접속을 위한 비전도성 필름(NCFs) 개발 - Solder flip chip bump 구조를 ...
연구내용 1. 고신뢰성 2.5D/3D CPI를 위한 접합 소재 및 접합 기술 개발- Sn-Ag Solder bump 구조를 가지는 Chip과 Interposer 설계 및 제작NCFs의 YDCN, YDPN631 함량 조절 및 물성 분석을 통한 최적화된 NCFs 개발 완료- Curing Peak temperature에 따른 Solder joint 관찰 및 Daisy c...
기대효과 활용계획 - 2.5/3D CPI 재료 및 공정 기술은 20㎛ 범프 피치를 갖는 차세대 HBM 모듈의 접합 및 현재 핵심 반도체 기술인 AP프로세서 및 모듈 부분에 3D TSV를 이용한 칩 적층 기술을 적용하여 TSV 적층 소재를 곧바로 산업에 응용할 수 있음 - 미세화 과정에서 Cu 배선을 효과적으로 대체해 배선의 미세화와 R/C delay 문제를 동시...
키워드 전자 패키징,실리콘 관통전극,고대역폭 메모리,비전도 접속 필름,저전력 반도체,원자층증착법,비저항,신뢰성
위탁/공동여부 정보
단독연구 기업 대학 국공립(연)/출연(연) 외국연구기관 기타
기술 정보
연구개발단계 개발연구 산업기술분류
미래유망신기술(6T) NT(나노기술) 기술수명주기
연구수행주체 과학기술표준분류 인공물 > 재료 > 금속재료 > 금속재료공정기술
주력산업분류 적용분야 기타 공공목적
중점과학기술분류 과제유형
과제수행기관(업) 정보
과제수행기관(업) 정보 과제수행기관(업)명 한국과학기술원 사업자등록번호
연구책임자 소속기관명 한국과학기술원 사업자등록번호
최종학위 박사 최종학력전공 공학
사업비
국비 595,000,000 지방비(현금+현물) 0
비고