과제 상세정보
목록고전기음성도 도펀트 조절을 통한 결함 준위 비대칭성 극복한 양극성 반도체 기반의 CMOS 어레이 기술
작성자
관리자
조회수
70
등록일
2024-05-22
사업 정보
| 내역사업 | (유형1-2)중견연구 |
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과제 기본정보
| 과제명 | 고전기음성도 도펀트 조절을 통한 결함 준위 비대칭성 극복한 양극성 반도체 기반의 CMOS 어레이 기술 | ||||
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| 과제고유번호 | 1711157576 | ||||
| 부처명 | 과학기술정보통신부 | ||||
| 시행계획 내 사업명 | |||||
| 시행계획 내 사업유형 | 예산출처지역 | 대전광역시 | 사업수행지역 | 대전광역시 | |
| 계속/신규 과제구분 | 신규과제 | ||||
| 과제수행연도 | 2022 | 총연구기간 | 2022-03-01 ~ 2026-02-28 | 당해연도 연구기간 | 2022-03-01 ~ 2023-02-28 |
요약 정보
| 연구목표 | 본 연구는 기존 Si 기술의 소형화/고도화/집적화에 따라 발생하는 물질의 한계를 극복함으로써, 마이크로 LED와 같은 차세대 디스플레이 및 이미지 센서와 같은 다양한 분야에서 국내 디스플레이 산업의 세계 점유율 및 영향력을 강화하고자 함.해당 연구는 고전기음성도 도펀트의 결함형에 따른 결합/비결합 에너지 준위 조절을 통한 결함 준위 비대칭성을 극복한 양극성... | ||
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| 연구내용 | 1차년도 : 양극성 질화물 반도체 (InN, Zn3N2) 박막 기술 개발- Zn3N2, InN등 질화물 기반 소재 평가와 분석을 위한 DFT 기반 계산 기술 최적화- Sputtering 및 co-sputtering 공정 변수 (RF power, 공정 압력, reactive gas flow ratio 등) 조절을 통한 intrinsic 질화물 반도체 박막의 ... | ||
| 기대효과 | 저온 공정이 가능한 양극성 반도체 개발에 성공하면 전달인쇄공정이 더 이상 필요 없기 때문에 대면적 소자 구현이 가능하며, 고성능 및 초고해상도의 마이크로 LED 디스플레이를 제조할 수 있음. 또한 이를 통해 기존 비실리콘계 CMOS 디바이스의 P, NMOS 간 비대칭성 문제를 해결할 수 있게 되어, 전자와 정공의 이동도가 불균형해 반도체와 전극층을 형성하기... | ||
| 키워드 | 박막 트랜지스터,양극성 반도체,CMOS 어레이 | ||
위탁/공동여부 정보
| 단독연구 | 기업 | 대학 | 국공립(연)/출연(연) | 외국연구기관 | 기타 |
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기술 정보
| 연구개발단계 | 기초연구 | 산업기술분류 | |
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| 미래유망신기술(6T) | IT(정보기술) | 기술수명주기 | |
| 연구수행주체 | 학 | 과학기술표준분류 | 인공물 > 재료 > 세라믹재료 > 광/전자세라믹스 |
| 주력산업분류 | 적용분야 | 제조업(전자부품,컴퓨터,영상,음향및통신장비) | |
| 중점과학기술분류 | 과제유형 |
과제수행기관(업) 정보
| 과제수행기관(업) 정보 | 과제수행기관(업)명 | 충남대학 | 사업자등록번호 | |
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| 연구책임자 | 소속기관명 | 충남대학 | 사업자등록번호 | |
| 최종학위 | 박사 | 최종학력전공 | 공학 |
사업비
| 국비 | 189,457,000 | 지방비(현금+현물) | 0 |
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| 비고 | |||