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1000단 이상의 고집적, 저전압, TLC 동작이 가능한 교란성이 없는 (Disturb-free) 3D FE NAND 요소 기술 개발

작성자

조회수

1

등록일

2025-10-27

사업 정보
내역사업 민관공동투자반도체고급인력양성(R&D)
과제 기본정보
과제명 1000단 이상의 고집적, 저전압, TLC 동작이 가능한 교란성이 없는 (Disturb-free) 3D FE NAND 요소 기술 개발
과제고유번호 1415187675
부처명 산업통상자원부
시행계획 내 사업명
시행계획 내 사업유형 예산출처지역 대전광역시 사업수행지역 대전광역시
계속/신규 과제구분 신규과제
과제수행연도 2023 총연구기간 2023-04-01 ~ 2025-12-31 당해연도 연구기간 2023-04-01 ~ 2023-12-31
요약 정보
연구목표
연구내용
기대효과
키워드
위탁/공동여부 정보
단독연구 기업 대학 국공립(연)/출연(연) 외국연구기관 기타
기술 정보
연구개발단계 응용연구 산업기술분류
미래유망신기술(6T) NT(나노기술) 기술수명주기
연구수행주체 과학기술표준분류 인공물 > 전기/전자 > 반도체소자·회로 > Si 소자
주력산업분류 적용분야 제조업(전자부품,컴퓨터,영상,음향및통신장비)
중점과학기술분류 과제유형
과제수행기관(업) 정보
과제수행기관(업) 정보 과제수행기관(업)명 한국과학기술원 사업자등록번호
연구책임자 소속기관명 한국과학기술원 사업자등록번호
최종학위 박사 최종학력전공 공학
사업비
국비 150,000,000 지방비(현금+현물) 0
비고