Graphene Spin Transistor and Graphene Rashba Spin Logic Gate for All-Electrical Operation at Room Temperature
지식재산권 상세정보
| 과제 |
high-κ 절연체 터널장벽을 활용한 초저전력 2D-3D 전이금속 디켈코게나이드 초저전력 TFET와 로직 회로의 개발 |
| 지식재산권명 |
Graphene Spin Transistor and Graphene Rashba Spin Logic Gate for All-Electrical Operation at Room Temperature |
| 성과고유번호 |
PTR-2020-00211522453 |
성과발생연도 |
2020 |
국내외구분 |
국외 |
| 출원/등록번호 |
10-2020-0127356 |
출원/등록일자 |
2020-09-29 |
출원/등록기관 |
Korea Advanced Institute of Science and Technology |
| 출원/등록기관 사업자등록번호 |
|
특허유형 |
특허 |
출원/등록구분 |
출원 |
| 기여율 |
100.0 % |
공개여부 |
공개 |
| 증빙자료 |
|
| 최초등록 |
관리자,
2024-04-11 PM 02시 18분
|
최종수정 |
관리자,
2024-10-24 PM 01시 34분
|
지식재산권 상세정보
| 과제 |
high-κ 절연체 터널장벽을 활용한 초저전력 2D-3D 전이금속 디켈코게나이드 초저전력 TFET와 로직 회로의 개발 |
| 지식재산권명 |
Graphene Spin Transistor and Graphene Rashba Spin Logic Gate for All-Electrical Operation at Room Temperature |
| 성과고유번호 |
PTR-2020-00211522453 |
| 성과발생연도 |
2020 |
| 국내외구분 |
국외 |
| 출원/등록번호 |
10-2020-0127356 |
| 출원/등록일자 |
2020-09-29 |
| 출원/등록기관 |
Korea Advanced Institute of Science and Technology |
| 출원/등록기관 사업자등록번호 |
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| 특허유형 |
특허 |
| 출원/등록구분 |
출원 |
| 기여율 |
100.0 % |
| 공개여부 |
공개 |
| 증빙자료 |
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| 최초등록 |
관리자,
2024-04-11 PM 02시 18분
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| 최종수정 |
관리자,
2024-10-24 PM 01시 34분
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