나프탈렌이미드 기반 고분자의 염소화 패턴이 전체 고분자 태양 전지 및 유기 트랜지스터의 응집 구조, 결정도 및 소자 성능에 미치는 영향
지식재산권 상세정보
| 과제 |
고효율 및 안정성을 가지는 스트레처블 고분자 태양전지 개발 |
| 지식재산권명 |
나프탈렌이미드 기반 고분자의 염소화 패턴이 전체 고분자 태양 전지 및 유기 트랜지스터의 응집 구조, 결정도 및 소자 성능에 미치는 영향 |
| 성과고유번호 |
PTR-2020-00211602016 |
성과발생연도 |
2020 |
국내외구분 |
국내 |
| 출원/등록번호 |
10-2020-0101325 |
출원/등록일자 |
2020-08-12 |
출원/등록기관 |
한국과학기술원 |
| 출원/등록기관 사업자등록번호 |
|
특허유형 |
특허 |
출원/등록구분 |
출원 |
| 기여율 |
33.33 % |
공개여부 |
공개 |
| 증빙자료 |
|
| 최초등록 |
관리자,
2024-04-11 PM 02시 21분
|
최종수정 |
관리자,
2024-10-24 PM 01시 35분
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지식재산권 상세정보
| 과제 |
고효율 및 안정성을 가지는 스트레처블 고분자 태양전지 개발 |
| 지식재산권명 |
나프탈렌이미드 기반 고분자의 염소화 패턴이 전체 고분자 태양 전지 및 유기 트랜지스터의 응집 구조, 결정도 및 소자 성능에 미치는 영향 |
| 성과고유번호 |
PTR-2020-00211602016 |
| 성과발생연도 |
2020 |
| 국내외구분 |
국내 |
| 출원/등록번호 |
10-2020-0101325 |
| 출원/등록일자 |
2020-08-12 |
| 출원/등록기관 |
한국과학기술원 |
| 출원/등록기관 사업자등록번호 |
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| 특허유형 |
특허 |
| 출원/등록구분 |
출원 |
| 기여율 |
33.33 % |
| 공개여부 |
공개 |
| 증빙자료 |
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| 최초등록 |
관리자,
2024-04-11 PM 02시 21분
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| 최종수정 |
관리자,
2024-10-24 PM 01시 35분
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