Field effect transistor based on vertically integrated gate-all-round multiple nanowire channels
지식재산권 상세정보
| 과제 |
산업·사회 혁신을 위한 초연결지능 교육연구단 |
| 지식재산권명 |
Field effect transistor based on vertically integrated gate-all-round multiple nanowire channels |
| 성과고유번호 |
PTR-2021-00212201703 |
성과발생연도 |
2021 |
국내외구분 |
국외 |
| 출원/등록번호 |
11010524 |
출원/등록일자 |
2021-05-18 |
출원/등록기관 |
Korea Advanced Institute of Science and Technology |
| 출원/등록기관 사업자등록번호 |
|
특허유형 |
특허 |
출원/등록구분 |
등록 |
| 기여율 |
100.0 % |
공개여부 |
공개 |
| 증빙자료 |
|
| 최초등록 |
관리자,
2024-04-11 PM 02시 48분
|
최종수정 |
관리자,
2024-10-24 PM 01시 36분
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지식재산권 상세정보
| 과제 |
산업·사회 혁신을 위한 초연결지능 교육연구단 |
| 지식재산권명 |
Field effect transistor based on vertically integrated gate-all-round multiple nanowire channels |
| 성과고유번호 |
PTR-2021-00212201703 |
| 성과발생연도 |
2021 |
| 국내외구분 |
국외 |
| 출원/등록번호 |
11010524 |
| 출원/등록일자 |
2021-05-18 |
| 출원/등록기관 |
Korea Advanced Institute of Science and Technology |
| 출원/등록기관 사업자등록번호 |
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| 특허유형 |
특허 |
| 출원/등록구분 |
등록 |
| 기여율 |
100.0 % |
| 공개여부 |
공개 |
| 증빙자료 |
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| 최초등록 |
관리자,
2024-04-11 PM 02시 48분
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| 최종수정 |
관리자,
2024-10-24 PM 01시 36분
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