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InP 기판을 이용한 소자 제조 방법

작성자

관리자

조회수

26

등록일

2024-04-11

지식재산권 상세정보
과제 초고주파 대역용 3D TIV 집적화 공정 및 적층형 InP/GaN 소자 기술 개발
지식재산권명 InP 기판을 이용한 소자 제조 방법
성과고유번호 pub-2021-0000029995 성과발생연도 2021 국내외구분 국내
출원/등록번호 1023466450000 출원/등록일자 2021-12-29 출원/등록기관 한국과학기술원
출원/등록기관 사업자등록번호 특허유형 특허 출원/등록구분 등록
기여율 50.0 % 공개여부 공개
증빙자료
최초등록 관리자, 2024-04-11 PM 02시 49분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 36분
지식재산권 원문