지식재산권 상세
목록이중 리던던시를 가지는 내방사선 래치 회로 및 메모리 셀
작성자
관리자
조회수
31
등록일
2024-04-11
지식재산권 상세정보
| 과제 | 전하저장형 메모리 기반 PIM 개발 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| 지식재산권명 | 이중 리던던시를 가지는 내방사선 래치 회로 및 메모리 셀 | ||||
| 성과고유번호 | PTO-2021-00212219160 | 성과발생연도 | 2021 | 국내외구분 | 국내 |
| 출원/등록번호 | 1020210118557 | 출원/등록일자 | 2021-09-06 | 출원/등록기관 | 경희대학교 산학협력단 |
| 출원/등록기관 사업자등록번호 | 특허유형 | 특허 | 출원/등록구분 | 출원 | |
| 기여율 | 50.0 % | 공개여부 | 공개 | ||
| 증빙자료 | |||||
| 최초등록 | 관리자, 2024-04-11 PM 02시 51분 | 최종수정 | 관리자, 2024-10-24 PM 01시 37분 | ||
지식재산권 원문