GaN계 전자 소자의 오믹 접촉 형성 방법 및 이에 따라 제조된 GaN계 전자 소자의 오믹 접촉
지식재산권 상세정보
| 과제 |
GaN 기반 고주파 전력 반도체의 우주방사선 영향 평가 및 내방사선 향상 연구 |
| 지식재산권명 |
GaN계 전자 소자의 오믹 접촉 형성 방법 및 이에 따라 제조된 GaN계 전자 소자의 오믹 접촉 |
| 성과고유번호 |
PTR-2021-00212094106 |
성과발생연도 |
2021 |
국내외구분 |
국외 |
| 출원/등록번호 |
PCT/KR2021/001050 |
출원/등록일자 |
2021-01-27 |
출원/등록기관 |
한국원자력연구원 |
| 출원/등록기관 사업자등록번호 |
|
특허유형 |
특허 |
출원/등록구분 |
출원 |
| 기여율 |
100.0 % |
공개여부 |
공개 |
| 증빙자료 |
|
| 최초등록 |
관리자,
2024-04-11 PM 02시 53분
|
최종수정 |
관리자,
2024-10-24 PM 01시 37분
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지식재산권 상세정보
| 과제 |
GaN 기반 고주파 전력 반도체의 우주방사선 영향 평가 및 내방사선 향상 연구 |
| 지식재산권명 |
GaN계 전자 소자의 오믹 접촉 형성 방법 및 이에 따라 제조된 GaN계 전자 소자의 오믹 접촉 |
| 성과고유번호 |
PTR-2021-00212094106 |
| 성과발생연도 |
2021 |
| 국내외구분 |
국외 |
| 출원/등록번호 |
PCT/KR2021/001050 |
| 출원/등록일자 |
2021-01-27 |
| 출원/등록기관 |
한국원자력연구원 |
| 출원/등록기관 사업자등록번호 |
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| 특허유형 |
특허 |
| 출원/등록구분 |
출원 |
| 기여율 |
100.0 % |
| 공개여부 |
공개 |
| 증빙자료 |
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| 최초등록 |
관리자,
2024-04-11 PM 02시 53분
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| 최종수정 |
관리자,
2024-10-24 PM 01시 37분
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