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양극산화법을 이용한 실리콘 산화물 나노입자의 제조방법

작성자

관리자

조회수

29

등록일

2024-04-11

지식재산권 상세정보
과제 전자빔 조사를 이용한 중대형 리튬 이차전지용 고내열성·고강도 유·무기 복합 분리막 제조기술 개발
지식재산권명 양극산화법을 이용한 실리콘 산화물 나노입자의 제조방법
성과고유번호 PTR-2021-00212097704 성과발생연도 2021 국내외구분 국내
출원/등록번호 1020210013843 출원/등록일자 2021-02-01 출원/등록기관 한국과학기술원
출원/등록기관 사업자등록번호 특허유형 특허 출원/등록구분 출원
기여율 25.0 % 공개여부 공개
증빙자료
최초등록 관리자, 2024-04-11 PM 02시 55분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 38분