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목록소자 동작 조건에서 Cu(In,Ga)Se2 소자에서 CdS의 면저항을 직접 측정하기 위한 측면 광전류법
작성자
관리자
조회수
25
등록일
2024-04-11
지식재산권 상세정보
| 과제 | 광대역 빛 산란 제어를 위한 산화물 투명전극의 나노구조 설계 및 원스텝 수용액 공정 개발 | ||||
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| 지식재산권명 | 소자 동작 조건에서 Cu(In,Ga)Se2 소자에서 CdS의 면저항을 직접 측정하기 위한 측면 광전류법 | ||||
| 성과고유번호 | PTR-2021-00212102202 | 성과발생연도 | 2021 | 국내외구분 | 국내 |
| 출원/등록번호 | 1020210101694 | 출원/등록일자 | 2021-08-03 | 출원/등록기관 | 한밭대학교 산학협력단 |
| 출원/등록기관 사업자등록번호 | 특허유형 | 특허 | 출원/등록구분 | 출원 | |
| 기여율 | 100.0 % | 공개여부 | 공개 | ||
| 증빙자료 | |||||
| 최초등록 | 관리자, 2024-04-11 PM 02시 56분 | 최종수정 | 관리자, 2024-10-24 PM 01시 38분 | ||
지식재산권 원문