지식재산권 상세
목록양극산화법을 이용한 실리콘 산화물 나노입자의 제조방법
작성자
관리자
조회수
30
등록일
2024-04-11
지식재산권 상세정보
| 과제 | 나노기공구조 산화막을 이용한 사용후핵연료 건식저장용기의 내부식성 향상 기술개발 | ||||
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| 지식재산권명 | 양극산화법을 이용한 실리콘 산화물 나노입자의 제조방법 | ||||
| 성과고유번호 | PTR-2021-00212088927 | 성과발생연도 | 2021 | 국내외구분 | 국내 |
| 출원/등록번호 | 1020210171233 | 출원/등록일자 | 2021-12-02 | 출원/등록기관 | 한국과학기술원 |
| 출원/등록기관 사업자등록번호 | 특허유형 | 특허 | 출원/등록구분 | 출원 | |
| 기여율 | 25.0 % | 공개여부 | 공개 | ||
| 증빙자료 | |||||
| 최초등록 | 관리자, 2024-04-11 PM 02시 57분 | 최종수정 | 관리자, 2024-10-24 PM 01시 39분 | ||
지식재산권 원문