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선택적 레이저 열처리를 통한 모놀리식 3D 상부소자를 포함하는 다층 게이트 캐퍼시터 및 이의 제조방법

작성자

관리자

조회수

34

등록일

2024-04-11

지식재산권 상세정보
과제 Si 전사 기반의 M3D 소자 집적 공정과 아키텍쳐 개발 및 검증
지식재산권명 선택적 레이저 열처리를 통한 모놀리식 3D 상부소자를 포함하는 다층 게이트 캐퍼시터 및 이의 제조방법
성과고유번호 PTR-2021-00212083631 성과발생연도 2021 국내외구분 국내
출원/등록번호 1020210162489 출원/등록일자 2021-11-23 출원/등록기관 한국과학기술원
출원/등록기관 사업자등록번호 특허유형 특허 출원/등록구분 출원
기여율 50.0 % 공개여부 공개
증빙자료
최초등록 관리자, 2024-04-11 PM 02시 58분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 39분