지식재산권 상세
목록플래시 메모리를 포함하는 삼진 논리회로 및 제작 방법
작성자
관리자
조회수
28
등록일
2024-04-11
지식재산권 상세정보
| 과제 | 이온성/극성 고분자 박막 기반 고성능 소재 개발 및 응용 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| 지식재산권명 | 플래시 메모리를 포함하는 삼진 논리회로 및 제작 방법 | ||||
| 성과고유번호 | PTR-2021-00212091967 | 성과발생연도 | 2021 | 국내외구분 | 국내 |
| 출원/등록번호 | 1020210131929 | 출원/등록일자 | 2021-10-05 | 출원/등록기관 | 한국과학기술원 ; 가천대학교 산학협력단 |
| 출원/등록기관 사업자등록번호 | 특허유형 | 특허 | 출원/등록구분 | 출원 | |
| 기여율 | 33.33 % | 공개여부 | 공개 | ||
| 증빙자료 | |||||
| 최초등록 | 관리자, 2024-04-11 PM 03시 04분 | 최종수정 | 관리자, 2024-10-24 PM 01시 41분 | ||
지식재산권 원문