서로 다른 불순물 농도와 채널 두께를 가지는 다중 채널 트랜지스터 제조방법
지식재산권 상세정보
| 과제 |
초고주파 대역용 3D TIV 집적화 공정 및 적층형 InP/GaN 소자 기술 개발 |
| 지식재산권명 |
서로 다른 불순물 농도와 채널 두께를 가지는 다중 채널 트랜지스터 제조방법 |
| 성과고유번호 |
PTO-2021-00211988440 |
성과발생연도 |
2021 |
국내외구분 |
국내 |
| 출원/등록번호 |
1020210078487 |
출원/등록일자 |
2021-06-17 |
출원/등록기관 |
경북대학교 산학협력단 |
| 출원/등록기관 사업자등록번호 |
|
특허유형 |
특허 |
출원/등록구분 |
출원 |
| 기여율 |
100.0 % |
공개여부 |
공개 |
| 증빙자료 |
|
| 최초등록 |
관리자,
2024-04-11 PM 03시 06분
|
최종수정 |
관리자,
2024-10-24 PM 01시 41분
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지식재산권 상세정보
| 과제 |
초고주파 대역용 3D TIV 집적화 공정 및 적층형 InP/GaN 소자 기술 개발 |
| 지식재산권명 |
서로 다른 불순물 농도와 채널 두께를 가지는 다중 채널 트랜지스터 제조방법 |
| 성과고유번호 |
PTO-2021-00211988440 |
| 성과발생연도 |
2021 |
| 국내외구분 |
국내 |
| 출원/등록번호 |
1020210078487 |
| 출원/등록일자 |
2021-06-17 |
| 출원/등록기관 |
경북대학교 산학협력단 |
| 출원/등록기관 사업자등록번호 |
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| 특허유형 |
특허 |
| 출원/등록구분 |
출원 |
| 기여율 |
100.0 % |
| 공개여부 |
공개 |
| 증빙자료 |
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| 최초등록 |
관리자,
2024-04-11 PM 03시 06분
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| 최종수정 |
관리자,
2024-10-24 PM 01시 41분
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