지식재산권 상세
목록선택적 에칭을 통한 TOPCon 셀의 랩 어라운드 폴리막 제거방법
작성자
관리자
조회수
24
등록일
2024-04-11
지식재산권 상세정보
| 과제 | 고효율 터널 산화막을 이용한 패시베이션 전극형 셀과 모듈 개발 | ||||
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| 지식재산권명 | 선택적 에칭을 통한 TOPCon 셀의 랩 어라운드 폴리막 제거방법 | ||||
| 성과고유번호 | PTO-2021-00212146545 | 성과발생연도 | 2021 | 국내외구분 | 국내 |
| 출원/등록번호 | 1020210180942 | 출원/등록일자 | 2021-12-16 | 출원/등록기관 | 와이아이테크(주) |
| 출원/등록기관 사업자등록번호 | 특허유형 | 특허 | 출원/등록구분 | 출원 | |
| 기여율 | 100.0 % | 공개여부 | 공개 | ||
| 증빙자료 | |||||
| 최초등록 | 관리자, 2024-04-11 PM 03시 07분 | 최종수정 | 관리자, 2024-10-24 PM 01시 42분 | ||
지식재산권 원문