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원자층 증착법에 의한 산화막 제조 방법 및 이에 의한 반도체 소자 및 페로브스카이트 태양 전지

작성자

관리자

조회수

28

등록일

2024-04-11

지식재산권 상세정보
과제 전구체 흡착 제어를 통한 원자단위 박막 조성 제어 기술
지식재산권명 원자층 증착법에 의한 산화막 제조 방법 및 이에 의한 반도체 소자 및 페로브스카이트 태양 전지
성과고유번호 PTO-2021-00212145494 성과발생연도 2021 국내외구분 국내
출원/등록번호 1020210170325 출원/등록일자 2021-12-01 출원/등록기관 충남대학교산학협력단
출원/등록기관 사업자등록번호 특허유형 특허 출원/등록구분 출원
기여율 100.0 % 공개여부 공개
증빙자료
최초등록 관리자, 2024-04-11 PM 03시 08분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 42분