지식재산권 상세
목록누설전류 및 면적 감소를 위한 SRAM 회로 및 이를 이용한 메모리 데이터 백업 방법
작성자
관리자
조회수
30
등록일
2024-04-11
지식재산권 상세정보
| 과제 | 서브마이크론 채널의 상보적 산화물 반도체 기반 단일 3차원 집적 소자 및 아키텍쳐 개발 | ||||
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| 지식재산권명 | 누설전류 및 면적 감소를 위한 SRAM 회로 및 이를 이용한 메모리 데이터 백업 방법 | ||||
| 성과고유번호 | PTR-2021-00212083979 | 성과발생연도 | 2021 | 국내외구분 | 국내 |
| 출원/등록번호 | 1020210126685 | 출원/등록일자 | 2021-09-24 | 출원/등록기관 | 한국전자통신연구원 ; 충북대학교 산학협력단 |
| 출원/등록기관 사업자등록번호 | 특허유형 | 특허 | 출원/등록구분 | 출원 | |
| 기여율 | 100.0 % | 공개여부 | 공개 | ||
| 증빙자료 | |||||
| 최초등록 | 관리자, 2024-04-11 PM 03시 12분 | 최종수정 | 관리자, 2024-10-24 PM 01시 43분 | ||
지식재산권 원문