GROWTH STRUCTURE FOR STRAINED CHANNEL, AND STRAINED CHANNEL USING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING DEVICE USING THE SAME
지식재산권 상세정보
| 과제 |
비실리콘 기반 모놀리식 3차원 집적 플랫폼 기술개발 |
| 지식재산권명 |
GROWTH STRUCTURE FOR STRAINED CHANNEL, AND STRAINED CHANNEL USING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING DEVICE USING THE SAME |
| 성과고유번호 |
PTR-2021-00212097470 |
성과발생연도 |
2021 |
국내외구분 |
국외 |
| 출원/등록번호 |
1020210119821 |
출원/등록일자 |
2021-09-08 |
출원/등록기관 |
Korea Advanced Institute of Science and Technology |
| 출원/등록기관 사업자등록번호 |
|
특허유형 |
특허 |
출원/등록구분 |
출원 |
| 기여율 |
50.0 % |
공개여부 |
공개 |
| 증빙자료 |
|
| 최초등록 |
관리자,
2024-04-11 PM 03시 15분
|
최종수정 |
관리자,
2024-10-24 PM 01시 44분
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지식재산권 상세정보
| 과제 |
비실리콘 기반 모놀리식 3차원 집적 플랫폼 기술개발 |
| 지식재산권명 |
GROWTH STRUCTURE FOR STRAINED CHANNEL, AND STRAINED CHANNEL USING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING DEVICE USING THE SAME |
| 성과고유번호 |
PTR-2021-00212097470 |
| 성과발생연도 |
2021 |
| 국내외구분 |
국외 |
| 출원/등록번호 |
1020210119821 |
| 출원/등록일자 |
2021-09-08 |
| 출원/등록기관 |
Korea Advanced Institute of Science and Technology |
| 출원/등록기관 사업자등록번호 |
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| 특허유형 |
특허 |
| 출원/등록구분 |
출원 |
| 기여율 |
50.0 % |
| 공개여부 |
공개 |
| 증빙자료 |
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| 최초등록 |
관리자,
2024-04-11 PM 03시 15분
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| 최종수정 |
관리자,
2024-10-24 PM 01시 44분
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