고주파 고출력 통신소자 응용을 위한 대구경 InAlN/GaN heterostructure on Si 에피웨이퍼 개발
사업화 상세정보
| 과제 |
고주파 고출력 통신소자 응용을 위한 대구경 InAlN/GaN heterostructure on Si 에피웨이퍼 개발 |
성과발생연도 |
2021 |
| 사업화명 |
고주파 고출력 통신소자 응용을 위한 대구경 InAlN/GaN heterostructure on Si 에피웨이퍼 개발 |
성과고유번호 |
BSI-2021-00812278532 |
사업화유형 |
직접사업화(상품화) |
| 사업화내용 |
고주파 고출력 통신소자 응용을 위한 대구경 InAlN/GaN heterostructure on Si 에피웨이퍼 개발 |
| 업체명 |
(주)아이브이웍스 |
대표자명 |
|
사업자등록번호 |
|
| 고용창출인원수 |
1 명
|
당해 연도 매출액 |
0 원
|
| 증빙자료 |
|
| 최초등록 |
관리자,
2024-04-11 PM 02시 00분
|
최종수정 |
관리자,
2024-07-24 PM 06시 39분
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사업화 상세정보
| 과제 |
고주파 고출력 통신소자 응용을 위한 대구경 InAlN/GaN heterostructure on Si 에피웨이퍼 개발 |
| 성과발생연도 |
2021 |
| 사업화명 |
고주파 고출력 통신소자 응용을 위한 대구경 InAlN/GaN heterostructure on Si 에피웨이퍼 개발 |
| 성과고유번호 |
BSI-2021-00812278532 |
| 사업화유형 |
직접사업화(상품화) |
| 사업화내용 |
고주파 고출력 통신소자 응용을 위한 대구경 InAlN/GaN heterostructure on Si 에피웨이퍼 개발 |
| 업체명 |
(주)아이브이웍스 |
| 대표자명 |
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| 사업자등록번호 |
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| 고용창출인원수 |
1 명
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| 당해 연도 매출액 |
0 원
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| 증빙자료 |
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| 최초등록 |
관리자,
2024-04-11 PM 02시 00분
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| 최종수정 |
관리자,
2024-07-24 PM 06시 39분
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