과제 상세정보
목록Hybrid-MBE를 이용한 GaN 에피웨이퍼 양산기술 개발
작성자
관리자
조회수
63
등록일
2024-05-21
사업 정보
| 내역사업 | 고용위기기업부설연구소R&D전문인력활용지원(R&D) |
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과제 기본정보
| 과제명 | Hybrid-MBE를 이용한 GaN 에피웨이퍼 양산기술 개발 | ||||
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| 과제고유번호 | 1711122130 | ||||
| 부처명 | 과학기술정보통신부 | ||||
| 시행계획 내 사업명 | |||||
| 시행계획 내 사업유형 | 예산출처지역 | 대전광역시 | 사업수행지역 | 대전광역시 | |
| 계속/신규 과제구분 | 신규과제 | ||||
| 과제수행연도 | 2020 | 총연구기간 | 2020-08-01 ~ 2021-07-31 | 당해연도 연구기간 | 2020-08-01 ~ 2021-07-31 |
요약 정보
| 연구목표 | 당사는 GaN 에피웨이퍼 양산 기술 개발을 위해 생산 효율에 큰 영향을 미치는 H/W 구조를 개선하고 GaN 에피웨이퍼 성장 기술을 최적화시켜 양산성을 증가시키고자 한다. | ||
|---|---|---|---|
| 연구내용 | GaN 에피웨이퍼 생산 원가의 큰 비중을 차지하는 액체질소(LN2) 공급을 지원하는 Phase Separator의 구조를 개선하여 액체질소 공급을 안정화시키고 효율을 증가시켜 양산성을 개선한다.GaN 에피웨이퍼 성장 기술을 고도화시키기 위해 대구경 GaN 에피웨이퍼의 시생산을 반복 수행하면서 Recipe를 최적화시켜 품질 재현성을 확보한다. | ||
| 기대효과 | 전 세계에서 극히 소수만 확보하고 있는 대구경(8인치) GaN on Si 에피웨이퍼 양산기술을 확보하게되면 기술선도국으로부터 기술적 종속을 탈피하고 고부가가치 시장에서 경쟁할 수 있는 원천핵심기술을 확보하게 된다. | ||
| 키워드 | 질화갈륨, 에피웨이퍼, 에피택시, 반도체 소재, 화합물반도체 | ||
위탁/공동여부 정보
| 단독연구 | 기업 | 대학 | 국공립(연)/출연(연) | 외국연구기관 | 기타 |
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기술 정보
| 연구개발단계 | 개발연구 | 산업기술분류 | |
|---|---|---|---|
| 미래유망신기술(6T) | IT(정보기술) | 기술수명주기 | |
| 연구수행주체 | 산 | 과학기술표준분류 | 인공물 > 재료 > 열/표면처리 > 박막제조기술 |
| 주력산업분류 | 적용분야 | 제조업(전자부품,컴퓨터,영상,음향및통신장비) | |
| 중점과학기술분류 | 과제유형 |
과제수행기관(업) 정보
| 과제수행기관(업) 정보 | 과제수행기관(업)명 | 아이브이웍스 | 사업자등록번호 | |
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| 연구책임자 | 소속기관명 | 아이브이웍스 | 사업자등록번호 | |
| 최종학위 | 학사이하 | 최종학력전공 | 공학 |
사업비
| 국비 | 50,000,000 | 지방비(현금+현물) | 0 |
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| 비고 | |||